半導体グレードのグラファイト

炭素含有量 99.99% 以上。プラズマ処理により不純物を除去し、半導体製造における高清浄度の厳しい要求に応え、ウエハ表面の汚染を防ぎます。

最大200-300 W/m・Kの熱伝導率。熱エネルギーを迅速かつ均一に伝達し、高温プロセス中のウェーハの均一な熱分布を確保し、歩留まりの損失を削減します。

1500度の高温、強酸・アルカリ腐食に耐えます。半導体ウェーハのアニーリング、成膜、エッチングなどの複雑なプロセスに適しており、装置の耐用年数を延長します。

加熱チャンバーの材料として、極端な温度変動に耐えることができるため、アニーリングや焼結などのプロセス中のウェーハの熱安定性が確保されます。

グラファイトの低摩擦特性を組み合わせることで、高温加熱のための高真空環境に適しており、ガス吸着による汚染を軽減します。{0}{1}

高い熱伝導率により急速かつ均一な加熱を実現し、パッケージングプロセスの効率を向上させ、エネルギー消費コストを削減します。