半導体装置用グラファイトブッシュ

高純度グラファイト（炭素含有量 99.99% 以上）とセラミック複合プロセスを利用しているため、耐熱温度範囲は 200 度から 3000 度であり、半導体装置の高温反応環境に適しています。{0}

多層グラファイト構造と真空チャンバーの組み合わせにより、熱抵抗が 0.05 K/W に低減され、高温ガスの均一な分布が保証され、材料の変形を引き起こす局所的な過熱が回避されます。-

耐食性に優れ、水素や窒素などの半導体プロセスガス中でも長期間安定して動作し、装置のメンテナンス頻度を低減します。

CVD や PVD ​​などの半導体製造プロセスで使用されるグラファイト スリーブは熱を均一に伝導し、プロセスの安定性と歩留まりを向上させます。

半導体ウェーハの乾燥およびアニーリングプロセス中に、グラファイトスリーブは均一な熱分布を提供し、熱応力のリスクを軽減します。

高エネルギーのレーザー キャビティと互換性があり、グラファイト スリーブを通じて熱を素早く伝導し、機器の安全な動作を保証します。{0}