結晶成長プロセス中、グラファイト電極は摂氏 1420 度から 1650 度の範囲の温度のアルゴン真空環境に置かれます。通常のグラファイトの内部細孔には、依然として残留水蒸気、有機揮発性物質、および微量のホウ素およびリンの不純物が含まれています。これらの物質は継続的にガスを放出し、シリコン融液を汚染し、シリコンウェーハの抵抗率をドリフトさせ、結晶転位密度を上昇させ、電池/チップの歩留まりを大幅に低下させます。この製品は 1600- 度の長期真空脱ガス前処理を受けており、内部の遊離揮発性成分が完全に除去されています。-総ガス排出量は 10-1⁰ Pa・m3/s 程度と低いです。ホウ素およびリンの不純物含有量は 0.01 ppm 以下です。 12-インチの太陽電池単結晶シリコン、8インチの半導体ゾーンリファイニングシリコン、炭化ケイ素基板の結晶成長生産ラインに適しています。これは、太陽光発電および半導体シリコン材料の製造における熱分野のコア消耗品です。
量産用単結晶シリコン引上げ太陽電池CZ（主に海外太陽光発電工場から購入）
最大 120 ～ 180 時間の単一の長い結晶化サイクルを備えた、6 ～ 12 インチの大型-サイズのプーラー単結晶炉に適しています。電極は、シリコン溶融物の対流を妨げる突然のガス放出を起こすことなく、プロセス全体を通じて安定した発熱を維持します。マイクロホールシーリングパッシベーションプロセスが採用されており、グラファイト表面の小さな細孔が均一で緻密なカーボン層で密閉され、アルゴン雰囲気下でのシリコン蒸気浸透腐食を防ぎます。電極表面には粉末や炭素粒子の脱落がなく、シリコン材料中の過剰な炭素不純物が回避されます。
ホウ素とリンの不純物含有量は厳密に管理されており、N- 型 / P- 型シリコン ウェーハの抵抗範囲の偏差が排除されています。単結晶の少数キャリア寿命のバッチ当たりの変動幅を±3μs以内に制御しており、通常の黒鉛電極と比較して単結晶収率が12～18%向上します。電極抵抗率の均一性誤差は0.3μΩ・m以下、炉内の熱場温度差は±4度で安定し、シリコンロッドの定径部の割合が92％以上を確保し、原料ロスを大幅に低減します。
半導体 FZ ゾーン溶融高{0}}純度シリコン チップ- レベルのアプリケーション
8- インチ以下のゾーン溶融高純度シリコン (9N - 11N 超-) 成長条件では、この製品は SEMI F63 半導体クリーン グラファイト規格に準拠しています。プロセス全体には有機接着剤や硫黄を含む揮発性不純物が含まれていません。金属遷移不純物 Fe/Ni/Cu の合計含有量は 0.2 ppm 以下です。低排気特性により炉内真空度を10-7Pa以上で安定に維持でき、揮発分放出量は業界標準品に比べて90％低減されています。微量不純物によるチップリークや耐圧不足などの不良を完全に回避します。
中空の水冷電極構造でカスタマイズできます。-結晶成長中、電極本体の温度は 300 度低下し、高温排気がさらに抑制され、高周波連続ゾーン溶融生産に適応します。- 1つの電極で600炉以上に安定して使用でき、半導体工場の連続生産需要に応えます。
SiC 炭化シリコンカーバイド基板結晶成長キット（第三世代半導体の新興分野）
SiCの成長温度は2100～2400度にも達します。このような高温では、通常のグラファイトは CO や炭化水素ガスを放出しやすく、SiC 格子の完全性を損なう可能性があります。この製品には、2700 度の超高温黒鉛化と真空脱ガスの二重処理が施されています。-高温時に放出されるガス状物質の総量は極めて少ないです。また、超高温シリコン-蒸気腐食に耐性があり、熱膨張係数が極めて低く、2400 度の加熱と冷却の繰り返しサイクル中に亀裂や変形が見られません。
電極は非標準サイズの縦型 PVT SiC 結晶成長炉に適合し、セグメント化されたネジ付きシール接続をサポートします。{0}接続点での接触抵抗の変動が極めて小さく、局所的な過熱排気点がなく、安定した低欠陥密度のSiC基板を製造できます。
差別化された独自の加工技術（通常の真空グラファイト電極とは全く異なる）
1. 原材料の選択: 元の揮発性物質が 0.03% 以下で、発生源からの排気ベースを削減する、超細粒 (D50=5μm) の等方性黒鉛ブランクを選択します。
2. マルチレベルの真空脱気: 1600 度の不活性雰囲気で 72 時間真空断熱し、層ごとに水蒸気、遊離炭化水素、細孔内の可溶性不純物を除去します。
3. 微小孔不動態化シーリング: 薄い炭素層を低温で化学蒸着し、表面の微小孔を充填し、内部揮発性物質の外部への放出チャネルをブロックします。-
4. ストレスのない正確な加工-: 低速のワイヤー切断 + CNC ミラー回転、加工亀裂や表面の気孔がなく、加工後の新しい排気チャンネルが不要になります。
5. 非破壊検査: 各電極は、排気ガス率のヘリウム検出、ICP-MS 不純物の完全な検査、抵抗率均一性検出を完了しており、輸出用の半導体-レベルの検査報告書が添付されています。
半導体-グレードの超低排気性能-
1600度の結晶成長条件での総排気速度は8×10-1⁰Pa・m3/s未満、炭化水素揮発性成分の放出は0.01ppm未満で、従来の真空グラファイト電極より95%低く、シリコン融液のガス汚染を完全に排除します。
ホウ素、リンの不純物（単結晶の核心問題）を極めて厳密に管理
ホウ素 0.01 ppm 以下、リン 0.01 ppm 以下で、ドーピング干渉がなく、シリコンウェーハの抵抗率の均一性が 40% 向上し、N/P 型単結晶シリコンの同期生産に適しています。
炭素汚染のない低呼気構造
微細孔の封止と不動態化処理により、気孔率は 0.12% 未満に減少し、結晶成長プロセス中に黒鉛粉末の脱落がなく、シリコン溶融物中の炭素不純物の増加は 0.02 ppm 未満であり、太陽光発電 / 半導体用の高純度シリコンの基準を満たしています。-
長期安定した伝導性熱場-
室温抵抗率は4.5～5.2μΩ・m、電極全体の抵抗率の均一誤差は0.3μΩ・m以下、1650度で180時間連続運転しても抵抗ドリフトはなく、熱場の温度差は±4度以下です。
当社を選ぶ理由
目的を絞った脱ガスプロセスを備えた単結晶シリコン専用の生産ライン
2. 半導体-グレードの総合的な次元不純物管理システム
3. 世界中の主流の単結晶炉に適応するワンストップのカスタマイズ機能-
4.技術サポートによる量産歩留り向上
5. 安定した輸出納期と完全な輸出資格。弊社では標準-サイズの太陽光発電単結晶-製品を常に在庫しており、カスタムメイドの商品は 7～12 日以内にお届けできます。-
製品技術パラメータ表
| いいえ。 | 検査項目 | シリコン結晶低アウトガスグラファイト電極標準 | 試験検出方法 |
|---|---|---|---|
| 1 | 原料グレード | 微粒子-3Dアイソスタティック半導体グラファイト（D50=5μm） | 粒子径レーザー分析装置 |
| 2 | 固定炭素含有量 | 99.9998% 以上 | 高温燃焼炭素分析装置- |
| 3 | 総灰分含有量 | 2ppm以下 | ICP-MS 完全要素検出 |
| 4 | ホウ素不純物含有量 | 0.01ppm以下 | 誘導結合プラズマ質量分析 |
| 5 | リン不純物含有量 | 0.01ppm以下 | ICP-MS ウルトラ-微量元素検査 |
| 6 | 総遷移金属不純物 (Fe、Ni、Cu、Cr) | 0.2ppm以下 | ICP-MS マルチエレメント-スキャン |
| 7 | 総ガス放出率 (1600 度、真空) | ＜8×10⁻¹⁰Pa・m3/s | ヘリウムリーク真空アウトガステスター |
| 8 | 揮発性炭化水素の放出 | ＜0.01ppm | 加熱脱着 GC-MS テスト |
| 9 | 室温抵抗率 | 4.5 – 5.2 μΩ·m | 4 点プローブ抵抗率計 |
| 10 | 抵抗率均一性偏差 | 0.3μΩ・m以下 | マルチ-ポイントの高精度-抵抗スキャニング |
| 11 | かさ密度 | 1.88 – 1.91 g/cm3 | アルキメデスの密度試験 |
| 12 | 内部気孔率 | ＜0.12 % | 水銀圧入ポロシメトリー |
| 13 | 熱膨張係数 (25 ～ 1600 度) | 2.6×10⁻⁶/度 | 高温膨張計- |
| 14 | 耐熱衝撃サイクル (1650 度 ↔ RT) | 亀裂なしで 900 サイクル以上 | 熱サイクル炉老化試験 |
| 15 | 連続耐用年数（CZシリコン引抜き） | 500+ 個の結晶成長バッチ | 実炉稼働エージング試験 |
| 16 | 使用温度範囲 | 1420～2400度（真空アルゴン雰囲気） | 高温安定性試験 |
| 17 | 表面処理 | 微細孔のシールと不動態化炭素コーティング | 表面粗さ測定器（Ra0.6μm以下） |
| 18 | カスタム利用可能な構造 | 中実ロッド / 中空水冷式 / 分割ねじ継手 / 特殊溝 | CNCカスタム加工図面 |
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