真空炉用 UHP グラファイト電極

12- インチ以上の単結晶シリコン ウェーハに対して超高圧真空ゾーン溶融精製を行います。{{0} UHP グラファイト電極は、超低抵抗率 (室温で 12 μΩ・m 以下、1000 度で 5 μΩ・m 以下) とゼロ透磁率特性を備えており、シリコン結晶の成長に影響を与える電磁干渉を回避します。水冷チャネルを備えたカスタマイズされた中空電極構造により、電極温度を 150 度以下、3000 度で安定に維持でき、熱変形は 0.02 mm 未満で、シリコン結晶の直径偏差は ±0.1 mm 未満です。
真空環境下でのガス放出率が極めて低い（＜3×10-9 Pa・m3/s）ため、炉内の真空度は10-7 Paレベルで安定し、炭化水素や金属不純物によるウェーハの汚染を防ぎます。半導体デバイスの歩留まりは99.5%以上に向上し、7nm以下の高度なプロセスチップの製造要件に適しています。

超高圧真空熱処理は、原子炉の制御棒や燃料被覆材などの原子力グレードの材料に適用されます。{{1} UHP グラファイト電極は 40A/cm² の極端な電流密度に耐えることができ、1800-2200 度の制御可能な温度範囲と ±3 度の温度均一性を提供し、核物質の一貫した機械的特性と耐食性を保証します。特別なホウ素除去プロセスが採用されており、電極内のホウ素含有量は 0.1ppm 以下であり、核物質の中性子吸収断面積の変化を回避し、原子炉運転の安全性を確保します。
超強力な耐放射線性。 10⁸Gyのガンマ線照射後の抵抗率変化率は2%未満、機械的強度保持率は95%以上です。原子力産業の過酷な放射線環境に適しており、最大 1200 炉サイクルの耐用年数があり、核物質の生産コストを削減します。

過酷な条件下でも信頼性の高い三重接続シール：ねじ山＋円錐面＋金属製シールリングの三重接続により、接触抵抗3μΩ以下を確保し、真空シール性能は10⁻⁸Paレベルに達します。 500kN の軸方向圧力に耐えることができ、超高圧条件に適しています。-
複合コーティング保護、長寿命: ナノ SiC + TiN 複合コーティングにより、耐酸化性が 80% 向上します。 2500度の真空環境での電極消耗率は0.05g/cm2・h未満で、耐用年数は1000～1500炉サイクルに達します。
カスタマイズされたフルプロセス サービス: 直径範囲 50-1000mm、長さ 200-5000mm。中空水冷、特殊形状部、特殊ねじなどのカスタマイズ構造も対応可能です。材料の選択から設置、試運転までのワンストップソリューションを提供します。