
この真空誘導炉用の特別な黒鉛るつぼは、ハイエンド シナリオでの半導体材料の溶解、白金族金属の精製、レアメタル合金の調製向けに設計されています。-第一のタイプの大気雰囲気工業用鋳造るつぼとは異なります。高真空および不活性アルゴン環境で使用されます。 6N グレードの高純度等方性グラファイト-で作られており、低ガス発生不動態化処理プロセスが施されています-。高温での揮発性物質の放出は極めて低く、真空チャンバーや高純度合金原料を汚染しません。-実験室用真空誘導溶解炉や貴金属精錬用のハイエンド真空誘導装置に適しています。{10}これは主に航空宇宙用高温合金、半導体ターゲット材料、プラチナ-ロジウム貴金属の精製生産に使用されます。
独自の精製脱ガスプロセス: ビレットの形成後、72 時間にわたる 1550 度の真空長期脱ガスを経て、黒鉛細孔内の残留水分と有機揮発性物質を除去し、真空溶解中の真空レベルの急激な低下を防ぎます。-表面は CVD-SiC マイクロポア シーリングと不動態化で処理され、内部からの微量不純物の放出を防ぎます。


真空条件構造の最適化:るつぼ全体に継ぎ目の隙間がなく、CNC一体加工で成形されています。肉厚は均一で、弱い部分がありません。真空環境では、微小な亀裂が空気漏れを引き起こすことはありません。-底部は圧力に耐えられるよう厚くされており、高密度のレアメタル溶解物を保持できます。-真空誘導炉の磁場による均一加熱設計と合わせて、炉内温度差を±3℃以内に制御します。
詳細な製品情報
カスタマイズされたサポート機能: 耐荷重範囲は 500g ~ 50kg です。真空誘導炉チャンバーのサイズに合わせて内径、高さをカスタマイズできます。ガイドノズル、シール突起、クランプ位置決め溝などの様々な特殊構造に対応します。真空炉の内部温度をさらに安定させるために、高純度グラファイト断熱スリーブを装備することができます。-
ハイエンドの品質管理システム: 各るつぼはヘリウム検出ガス率テスト、全要素 ICP 不純物スキャン、- 高温真空安定性テストを受けます。欧米の半導体・貴金属精錬工場の輸入審査基準を満たしたSEMIクリーン検査データを完備しております。


製品のコア機能
超低高温ガス放出性能。1500 度の真空環境での総ガス放出速度は 7×10-1⁰ Pa・m3/s 未満で、10-7 Pa の超高真空環境を安定に維持します。
6N 超-高純度基板、総灰分含有量 5ppm 以下、ホウ素-不純物 0.005ppm 以下、レアメタルおよび半導体合金の製錬中に不純物移行汚染なし。
製品のコア機能
異方性熱膨張係数が 2.1×10-6/度 と非常に低い。真空加熱・冷却を1400回繰り返しても割れや変形はありません。長期にわたる真空密閉された作業条件に適しています。-
寸法公差±0.05mmの継ぎ目のない精密加工を一体化。輸入されたさまざまな真空誘導溶解装置に完全に適合し、現場での改造は必要ありません。-

| いいえ。 | テスト項目 | 標準パラメータ | 試験方法 |
|---|---|---|---|
| 1 | 基材 | 6N 超-高純度等方性グラファイト | ICP-MS 全元素分析 |
| 2 | 総灰分含有量 | 5ppm以下 | 微量元素質量分析検出 |
| 3 | 単一不純物 (B / P) | 0.005ppm以下 | ウルトラ-トレース ICP-MS テスト |
| 4 | 総ガス放出率 (1500 度真空) | <7×10⁻¹⁰Pa・m3/s | ヘリウム真空アウトガステスター |
| 5 | 透磁率 | <1.005 | 高精度透磁率測定器 |
| 6 | 熱膨張係数 (25-1500 度) | 2.1 × 10⁻⁶ / 度 | 高温膨張計試験 |
| 7 | 真空条件下での熱衝撃サイクル | 1400サイクル以上 | 真空交温老化試験 |
| 8 | 表面防食処理- | CVD SiC 微細孔封止パッシベーション層 | 走査型電子顕微鏡検査 |
| 9 | 適用環境 | 高真空・アルゴン不活性雰囲気(1300~1800度) | 真空高温総合試験 |
| 10 | カスタム容量範囲 | 0.5kg~50kg | CNC 3 座標次元検出- |
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