グラファイト ベース / トレイは、半導体製造における中心的な支持および加熱コンポーネントであり、CVD、PVD、エッチング、エピタキシャル成長などの高温プロセス中にウェーハを支持し、均一な熱分布を達成するために使用されます。{0}超-高純度-等方静水グラファイト基材を利用し、高度なコーティング技術（SiC、TaC、BN など）を組み合わせることで、1000 ～ 1800 度の極端な環境でも構造の安定性、化学的不活性、熱場の均一性を確保します。これは、ウェーハの歩留まりと性能を確保するための重要なコンポーネントです。
| 構造層 | 材質の種類 | 技術的パラメータ | コア機能 |
|---|---|---|---|
| 基板 | 高純度等方性黒鉛- | 純度 99.9995%以上（5N-6N）、密度 1.85～1.95g/cm3、細粒構造（50μm以下） | 高い熱伝導率、低い膨張率、優れた加工性能を実現 |
| 遷移層 (オプション) | 窒化ホウ素(BN)/窒化ケイ素(SiNₓ) | 厚さ5～15μm、均一かつ緻密 | コーティングの密着性を向上させ、熱膨張の不一致を緩和します。 |
| 機能性コーティング | 炭化ケイ素(SiC)/炭化タンタル(TaC) | 厚さ80～150μm、密度99.9%以上 | 化学的不活性、耐摩耗性、汚染制御を提供します |
| 表面処理 | 精密研磨・シボ加工 | 表面粗さ Ra 0.8μm以下 | ウェーハのフィット性と温度均一性を確保 |
枚葉式サセプタ
アプリケーション: 8/12 インチ、SiC/GaN エピタキシャル成長のための高度なプロセス
特徴: 統合設計、正確な位置決めスロットを内蔵、-中心端の温度差は ±1.5 度以下
一般的な用途: ASM、アプライド マテリアルズなどのハイエンド MOCVD 装置-
マルチ-ウェーハトレイ
仕様: 6/8 インチ、4 ～ 12 枚のウェーハを保持可能
特徴: ゾーン温度制御設計、独立したウェーハ位置決め、最適化されたエアフロー チャネル
代表的な用途：量産エピタキシャル炉、LEDチップ製造
バレル-タイプのベース（バレルサセプター）
構造: 円筒形/リング-形、ウェーハを垂直に装填する場合
特長: 効率的なスペース利用、均一な気流分布、大量生産に適しています。
代表的な用途: LPE リアクター、多結晶エピタキシャル プロセス
エア-フローティング トレイ (エア フロート トレイ)
イノベーション: 内蔵マイクロ エアフロー チャネル-により、非接触ウェーハ搬送が可能
利点: 粒子汚染ゼロ、ウェーハに機械的ストレスがない、極薄/フレキシブルウェーハに適しています。-
一般的な用途: SiC パワーデバイス、ハイエンド センサーの製造-
製造工程
高純度の原材料のカスタマイズ: 天然の鱗片状黒鉛を選択し、化学精製 + 高温黒鉛化を経て、金属不純物を ppb レベルまで除去します。-
等方圧プレス: 冷間等方圧プレス (CIP) 技術を 300-500 MPa の圧力で全方向プレスに利用し、異方性誤差 3% 以下を保証します
高温黒鉛化: 2800～3000度で黒鉛化処理し、結晶性と熱伝導率を高め、抵抗率を10～15μΩ・mに低下させます。
精密CNC加工: 流路、位置決め溝、通気孔などの複雑な構造を寸法公差±0.01mmで実現する5軸回転マシニングセンター
特別な応用分野
高度なパッケージング: ウェーハのサポートと加熱に TSV (シリコン スルー ホール) プロセスを使用し、高アスペクト比のホールの均一性を確保します。
パワーデバイス: IGBT および MOSFET 製造における SiC エピタキシー プロセス。1600 度以上の高温に耐える基板が必要
オプトエレクトロニクス: VCSEL および検出器製造における GaAs/InP エピタキシー、極めて低い汚染と高い温度均一性が必要
MEMS: 膜の応力分布を正確に制御する、微小電気機械システム製造における-高温堆積プロセス-
量子デバイス: 超伝導チップおよび量子ドット製造における超高純度要件（不純物 1ppm 以下）、カスタマイズされたコーティング ソリューション-
お客様の成功事例
SiCパワーデバイスの世界トップメーカー：TaCコーティング基板採用後、エピタキシャルウェーハの不良率が42％減少、生産効率が25％向上
国内トップクラスの LED チップ工場: マルチウェーハ SiC コーティング トレイを使用することで、設備稼働率が 30% 向上し、年間保守コストが 50% 削減されました。
欧州の MEMS 研究機関: カスタマイズされたエアフローティング ベースにより、薄いウェーハの変形の問題が解決され、研究開発サイクルが 6 か月短縮されました
| パラメータ | ユニット | 枚葉式サセプタ (8 インチ) | マルチ-ウエハートレイ（6インチ、6個） | バレルサセプター | エアフロートトレイ(SiC) |
|---|---|---|---|---|---|
| 基材 | - | 高純度等方性グラファイト（5N）- | 高純度等方性グラファイト（5N）- | 高密度グラファイト（6N） | 超-微粒子グラファイト（6N） |
| コーティングの種類 | - | CVD SiC | CVD SiC + BN 中間層 | CVD SiC | CVD TaC |
| コーティングの厚さ | μm | 100-120 | 80-100 | 120-150 | 90-110 |
| 純度（合計） | % | 99.9995 以上 | 99.999 以上 | 99.9999 以上 | 99.9999 以上 |
| 密度 | g/cm3 | 1.90-1.95 | 1.88-1.92 | 1.92-1.96 | 1.93-1.97 |
| 熱伝導率 | W/m·K | 250-280 | 220-250 | 200-230 | 270-300 |
| 最高動作温度 | 程度 | 1700 (不活性) | 1600 (不活性) | 1800 (不活性) | 1650 (不活性) |
| 温度均一性 | % | ±1.0 | ±1.5 | ±2.0 | ±0.8 |
| 表面粗さ（Ra） | μm | 0.5以下 | 0.8以下 | 1.0以下 | 0.3以下 |
| 寸法許容差 | mm | ±0.01 | ±0.02 | ±0.03 | ±0.008 |
| 標準的な寿命 | サイクル | 2500+ | 2000+ | 1800+ | 3000+ |
| ウェーハサイズの互換性 | インチ | 8 | 6(6個) | 4～6（12個） | 8 |
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