キルシュプロセスグラファイトボートは、半導体単結晶シリコンの成長用に特別に設計されています。ナノ-スケールの高純度グラファイト（純度99.99%以上）-と炭素繊維複合技術を組み合わせたものを採用しています。優れた高温耐性 (3000 度) と優れた熱均一性を備えています。これは、Jin Cheng Graphite Technology から直接供給されており、キルシュプロセスの効率と結晶品質を向上させます。
コアの強み
高純度グラファイト複合構造-
ナノ-サイズのグラファイトパウダーとカーボンファイバーを組み合わせたもので、耐熱温度範囲は-200度から3000度で、熱伝導効率は45%増加し、熱応力集中は0.1%以下に減少します。
正確な熱分布制御
特別な曲面設計により熱場の均一性が最適化され、単結晶シリコン成長のキルシュ プロセスの温度勾配要件に適合し、結晶欠陥率が 0.05% 未満に低減されます。-
環境コンプライアンスと長寿命
ISO 14001 規格に準拠し、重金属残留物 (鉛 5ppm 以下) がなく、EU REACH 規格によって認証されています。最大 600 サイクルの耐熱衝撃性を備え、寿命は 6000 時間以上に延長されます。
典型的なアプリケーションシナリオ
半導体単結晶シリコンの準備-
キルシュ法における高温溶融ゾーンのキャリアとして、単結晶シリコン成長プロセスの熱安定性と結晶の完全性を確保します。{{1}
高純度の材料の精製-
半導体材料の高温還元反応に適しており、均一な熱場を提供して不純物の析出を低減します。{0}
工業用熱処理装置
冶金やセラミックスなどの分野における複雑なプロセスの熱均一性と耐食性の要件を満たします。
Jin Cheng グラファイト テクノロジーを選ぶ理由?
キルシュプロセスのグラファイトボート分野の中核サプライヤーとして、Jin Cheng は特許取得済みの複合プロセス (CN2023XXXXXX) を通じて熱場の均一性と熱衝撃耐性を強化し、信頼性を確保するために ISO 9001 品質システムと EU CE 認証を取得しています。同様の製品と比較して、Jin Cheng のグラファイトボートの純度は 25% 増加し、エネルギー消費量は 30% 削減され、顧客のフィードバックによると、結晶収率は 18% 向上し、メンテナンスコストは 45% 削減されました。
すぐに行動する
お客様の要件 (グラファイト ボートのサイズ、熱場パラメータ、プロセス タイプなど) を提出していただくと、カスタマイズされたキルシュ プロセス グラファイト ボート ソリューション (技術パラメータ、コスト見積もり、アプリケーション ケースを含む) を 48 時間以内に提供します。世界的な 90+ 半導体企業は、Jin Cheng Kirsch プロセスのグラファイト ボートにより、単結晶シリコンの成長がより効率的かつ正確になることを検証しました。
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