純度 99.9% 以上、密度 1.9 g/cm3 以上、導電率 1000 S/cm 以上の高導電性グラファイトロッド。これらは、ハイエンド電子アプリケーション向けに特別に設計された信頼性の高い導電性材料です。-

コアの強み

導電性の高いグラファイトロッドとして、その電子移動度は 2000 cm²/V・s (通常のグラファイトの 1000 cm²/V・s をはるかに超える) に達し、半導体エッチングプロセスでサブ-精度の精度が可能になり、欠陥率が 30% 以上減少します。

高密度構造（2.3 g/cm3 以上）により、-20 度から 150 度までの極端な温度変化下でも機械的安定性が保証され、寿命は同様の製品より 40% 長くなります。

低い熱膨張係数 (5 ppm/度以下) は熱サイクル亀裂を効果的に防止し、5000 サイクルテスト後も故障がなく、銅導体 (熱膨張係数 ≈ 17 ppm/度) を大幅に上回ります。

典型的なアプリケーションシナリオ

先進的な半導体製造

導電性の高いグラファイトロッドがフォトリソグラフィマスクに使用され、ウェハの歩留まりが 98.5% に向上し、単一バッチの生産効率が 20% 向上しました。-

電気自動車のバッテリー

導電性の高いグラファイトロッドがバッテリー集電体として使用されており、サイクル寿命は1000回を超え（従来の銅集電体は500回しかありません）、バッテリーの重量は30％削減されています。

5G通信インフラ

高導電性のグラファイトロッドが高周波回路基板に統合されており、電磁干渉（EMI）を 40% 削減し、ミリ波信号（周波数範囲 24～40 GHz）の安定した伝送を保証します。{0}

ISO9001の国際認証を取得しています。高導電性グラファイトロッドの各バッチは、導電率 (±2%) と密度 (±0.05g/cm3) のデュアルパラメーターテストを受け、適合率は 100% です。

小規模バッチのカスタマイズ (100 - 5000 個) をサポートしており、技術的な対応を 24 時間以内に完了できるため、チップメーカーや新エネルギー企業の迅速な反復ニーズに対応できます。