主な材質と構造
1) 高純度静水圧加圧グラファイトるつぼ (真空炉に推奨)-
均一な三次元圧縮、緻密な構造、良好な等方性、低気孔率、高密度、および極めて低い不純物。-半導体、SiC 結晶成長、高純度金属の溶解に使用されます。-
2) 含浸緻密黒鉛るつぼ
樹脂/コールタールの含浸により細孔を密閉し、気密性を向上させ、高い費用対効果を実現します。{0}従来の真空熱処理や超硬合金焼結に使用されます。
3) SiC/BN コーティング黒鉛るつぼ
内壁の緻密な SiC/BN コーティング、酸化防止、固着防止、炭素汚染防止、金属液体侵食に対する耐性-、-空気と短時間接触する可能性があるため、耐用年数が長くなります。
コア機能
1. 超高純度、極めて低いガス放出 (真空が重要)
固定カーボン: 99.9% (3N) / 99.95% (4N) / 99.99% (5N)
灰分: 50 ppm 以下 (4N)、10 ppm 以下 (5N)。金属不純物（Fe、Si、Alなど） 5～10ppm以下
高温真空ガス放出: 総揮発性物質 1600 度で 0.005% 以下、不純物の放出 5 ppm 以下、溶湯/ワークピースを汚染せず、真空度を損傷しない
2. 高温耐性、強い熱安定性
-真空/不活性雰囲気中での長期: 2200 度。短期限界: 2800 度
空気 (コーティングなし): 450 度以下。 SiC コーティング: 1800 度で短期間使用可能-
熱膨張係数（25～1000度）：1.8～2.2×10⁻⁶/度（極めて低い）。熱サイクル変形 0.01mm/m以下、割れ、変形なし
製造工程
高純度黒鉛粉末 → 冷間静水圧プレス → 2800～3000 度の高温黒鉛化 → 含浸および緻密化（オプション） → 精密 CNC 加工 → SiC/BN コーティング（オプション） → 洗浄、乾燥、漏れ検出 → 品質検査（COA、SGS） → 梱包
主な応用分野
半導体・太陽光発電：SiC単結晶成長、シリコン材料溶解、ウェーハアニール、PECVD、熱場るつぼ
真空冶金：チタン、タングステン、モリブデン、貴金属、レアメタル真空溶解・蒸留
粉末冶金：超硬合金、ネオジム鉄ボロン、セラミック真空焼結
真空熱処理: 高温合金、特殊鋼の真空焼入れ/ろう付け
選択の提案:
超-高真空 (10-5 ～ 10-⁶ Pa) + 半導体 / 高-材料 → 5N 高純度-等方静水黒鉛るつぼ
従来の真空炉、焼結/溶解 → 4N等方静水圧/含浸黒鉛るつぼ（高い費用対効果-）
酸化しやすく、金属液体浸食、固着防止 → SiC/BN コーティングされた黒鉛るつぼ
| アイテム | 高純度アイソスタティック- | 含浸された | SiCコーティング | 状態 |
|---|---|---|---|---|
| 固定炭素 | 99.95%/99.99% 以上 | 99.9%以上 | 99.95%以上 | RT |
| かさ密度 | 1.85 ～ 1.92 g/cm3 | 1.75 ～ 1.85 g/cm3 | 1.88 ～ 1.92 g/cm3 | RT |
| 気孔率 | 1.5%以下 | 3%以下 | 1.5%以下 | RT |
| 連続温度（真空） | 2200度 | 2100度 | 2200度 | Ar/N₂ |
| CTE (25 ～ 1000 度) | 1.8～2.2×10⁻⁶/度 | 2.0～2.5×10⁻⁶/度 | 1.9～2.3×10⁻⁶/度 | / 程度 |
| 熱伝導率 | 150–180 W/(m·K) | 120–150 W/(m·K) | 140–170 W/(m·K) | RT |
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