グラファイトモールドは、高純度静水圧加圧グラファイト（主流）、圧縮成形グラファイト、含浸グラファイト、SiC コーティンググラファイト-を基材として使用されます。{0}これらは、真空/不活性雰囲気 (アルゴン/窒素) 下で 1800 度から 2200 度の範囲の温度で、粉末焼結、ホットプレス、ろう付け、結晶成長、および高温用途向けの成形と成形に使用されます。-
1. 極度の高温耐性、極めて強い熱安定性（金型代替不可）
-真空/不活性雰囲気中での長期: 2200 度。短期限界: 2800 度;-非溶融、非軟化、クリープなし。-
熱膨張係数（25～1000度）：1.8～2.2×10⁻⁶/度（極めて低い）。加熱・冷却を繰り返しても変形、割れがなく、寸法が安定
Metal molds: Soften and deform at >600度、1200度以上では使用不可
グラファイト金型の主な特長
2. 高い熱伝導率、均一な熱場、高効率
熱伝導率：150～180W/(m・K)。高速加熱、均一な温度場、局所的なホットスポットなし、良好な焼結一貫性、向上した収率
3. 化学的不活性、クリーンかつ汚染-なし、炭化なし
酸、アルカリ、水素、アンモニア、溶融金属（Ti/W/Mo/Al/Cu）に対する耐性。シリコン、SiC、セラミックとの反応がなく、炭化や不純物の導入がなく、高純度のワークピースの品質を保証します。{0}
4. 低気孔率、高密度、良好な強度、耐熱衝撃性
体積密度: 1.85 ～ 1.92 g/cm3;見かけの気孔率 1.5% 以下。圧縮強度45～60MPa、曲げ強度28～35MPa
急冷・加熱（20↔1600度）を50回以上行ってもクラックなし。真空炉での頻繁な熱サイクルに適しています
2026 年の主要応用産業
1) 太陽光発電産業 (最大の成長分野)
シナリオ: 結晶成長用の N- 型シリコン ウェーハ / シリコン ロッド、熱場用のグラファイトるつぼ、グラファイト モールド、PECVD / エピタキシャル装置、グラファイト ボート、グラファイト トレイ
要件: 5N 純度、低ガス放出、低熱膨張、均一な熱場、熱衝撃耐性。シリコン材料の純度を確保し、酸素と炭素の不純物を削減します
2) 半導体 / 第三世代半導体 (高付加価値分野)-
シナリオ: SiC/GaN 単結晶成長、ウェーハアニーリング/拡散、パッケージングホットプレスモールド、グラファイトキャリア、グラファイト固定具
要件: 超高純度 (5N)、灰分含有量 10ppm 以下、極めて低いガス放出、精密公差 ±0.01mm、炭素汚染のないクリーン、SiC コーティング
2026 年の主要応用産業
３）新エネルギー自動車・エネルギー貯蔵（急成長）
シナリオ: モーターコア/軟磁性粉末の焼結、グラファイトモールドを使用した水冷プレート/VC 温度均一化プレートのろう付け、バッテリー電極/構造部品、CFRP 炭素繊維複合材料の成形、水素燃料電池バイポーラプレートの熱プレス
要件: 高温耐性、均一な熱伝導、精度、長寿命、耐食性
4) 粉末冶金 / 超硬合金 / NdFeB (従来の中核事業、ハイエンド化)
シナリオ: 超硬合金工具、金型、ドリル、NdFeB 永久磁石、セラミックス、金属粉末用の真空ホットプレス/焼結金型、グラファイトアンビル、グラファイトるつぼ、グラファイトパッド
要件: 高密度、低気孔率、耐摩耗性、耐腐食性、高純度耐浸炭性-
| 材質の種類 | 純度（固定炭素） | かさ密度 (g/cm3) | 見かけの気孔率 | 連続使用温度(真空・不活性雰囲気) | アプリケーションシナリオ |
|---|---|---|---|---|---|
| 高純度等方性グラファイト（4N / 5N グレード）- | 99.95% / 99.99% | 1.85 – 1.92 | 1.5%以下 | 2200度 | 半導体、太陽光発電産業、高純度材料の成形と焼結- |
| 含浸された緻密なグラファイト | 99.9% | 1.75 – 1.85 | 3%以下 | 2100度 | 一般真空焼結、超硬合金、従来の粉末冶金 |
| SiC コーティングされたグラファイト | 99.95% | 1.88 – 1.92 | 1.5%以下 | 2200度 | 酸化しやすい作業条件、-溶融金属の耐食性、金型の長寿命-- |
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